Магниторезистор на тонкой пленке SMR представляет собой магниторезисторный датчик, основанный на магниточувствительном тонкопленочном материале, который имеет магниторезистивный эффект, то есть изменение магнитного поля вызывает изменение значения сопротивления магнитного сопротивления. Типичным применением является обнаружение положения и скорости в области промышленного управления, например, кодировщик двигателя, датчик скорости вращения шестерни.
Магниторезистор на тонкой пленке SMR представляет собой магниторезисторный датчик, основанный на магниточувствительном тонкопленочном материале, который имеет магниторезистивный эффект, то есть изменение магнитного поля вызывает изменение значения сопротивления магнитного сопротивления. Типичным применением является обнаружение положения и скорости в области промышленного управления, например, кодировщик двигателя, датчик скорости вращения шестерни.
SMR04 Размеры магнитного сопротивления на полупроводниковой пленке
SMR05 Размеры магнитного сопротивления на полупроводниковой пленке
Схема расположения резисторной планки
Эквивалентная схема
Схема расположения резисторной планки
(Модульнаяшестерня0,4)
(Модульнаяшестерня 0,5)
Проекты | Символы | Предельная величина | Единицы измерения |
Максимальная мощность | PD | 230 | mW |
Рабочая температура | Topr. | -100 | ℃ |
Температура хранения | Tstg. | -140 | ℃ |
Проекты | Символы | Условия тестирования | Миниму | Максиму | Единицы измерения |
Значение сопротивления нулевого магнитного поля | R13(0) | B=0 | 200 | 1200 | Ω |
Величина сопротивления под спинным магнитом | R13(B) | B=0.3T | 460 | 3600 | Ω |
Скорость изменения сопротивления | Dr. | R13(B)/R13(0) | 2.3 | 3 | |
Напряжение в центре нулевого магнитного поля фазы А | VA(0) | VC=5V,B=0 | 2.3 | 2.7 | V |
Напряжение в центре нулевого магнитного поля фазы В | VB(0) | VC=5V,B=0 | 2.3 | 2.7 | V |
Напряжение заднего магнитного центра фазы А | VA(B) | VC=5V,B=0.3T | 2.3 | 2.7 | V |
Напряжение заднего магнитного центра фазы B | VB(B) | VC=5V,B=0.3T | 2.3 | 2.7 | V |